1、宫灯百合可通过播种和分球法繁殖。

2、开春后播种在排水良好的植床上，覆以沙和泥炭土混合基质，保持15～20℃即可发芽。由于宫灯百合的种子具深休眠性且发芽率低，因此多用块茎繁殖。

3、一般生产切花的块茎为5～7克，块茎切半后种植，可促进每个生长点发育成整齐的植株。将在3～5℃条件下储藏110～202天的块茎移至20～26℃温度中催芽，可使块茎萌芽率达90%以上。