米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。

优点

①采用较小的电容来获得较大的电容（例如制作频率补偿电容），这种技术在IC设计中具有重要的意义（可以减小芯片面积）；

②获得可控电容(例如受电压或电流控制的电容)。

不足

密勒电容对器件的频率特性有直接的影响。

例如，对于BJT：在共射（CE）组态中，集电结电容势垒电容正好是密勒电容，故CE组态的工作频率较低。对于MOSFET：在共源组态中，栅极与漏极之间的复盖电容Cdg是密勒电容，Cdg正好跨接在输入端(栅极)与输出端(漏极)之间，故密勒效应使得等效输入电容增大，导致频率特性降低。

降流措施

可以采用平衡法（或中和法）等技术来适当地减弱密勒电容的影响。

平衡法即是在输出端与输入端之间连接一个所谓中和电容，并且让该中和电容上的电压与密勒电容上的电压相位相反，使得通过中和电容的电流恰恰与通过密勒电容的电流方向相反，以达到相互抵消的目的。

米勒近似

我们假设不受频率影响，但是实际的运算放大器往往本身就受频率影响。受频率影响的使得密勒电容也受频率影响，因此不再像一个普通的电容那样反应。不过一般只有在频率远远高于截止频率的情况下才反映出它受频率的影响，因此在截止频率以下可以被看作是不受频率影响的。在低频下使用来计算被称为密勒近似。在这种情况下可以看作是不受频率影响的。